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Position: Research Position
Institution: Università di Bologna
Department: Engineering; Electronic Engineering
Location: Bologna, Italy
Duties: Reliability analysis and IC design of GaN-based smart power circuits
Requirements: Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate)
   
Text: Bando per assegno di ricerca Descrizione del bando Titolo del progetto di ricerca in italiano Affidabilità e progettazione integrata di circuiti smart power basati su dispositivi GaN Titolo del progetto di ricerca in inglese Reliability analysis and IC design of GaN-based smart power circuits Campo principale della ricerca Engineering Sottocampo della ricerca Electronic engineering Area CUN 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione S.S.D - Descrizione sintetica in italiano L'obiettivo principale di questo progetto di ricerca è l’analisi dell'affidabilità dei transistori di potenza basati su Nitruro di Gallio (GaN) in determinate condizioni operative e sviluppare, sulla base dei risultati ottenuti, un progetto di circuito integrato smart power sfruttando al massimo le potenzialità di tali dispositivi in termini di prestazioni e affidabilità. I risultati attesi sono: • Un'approfondita comprensione dell'affidabilità dei dispositivi GaN in particolari condizioni operative. • Design di un circuito integrato smart power efficiente e affidabile basato su tecnologia GaN. • Contributi alla ricerca nel campo dell'elettronica di potenza e della tecnologia GaN. Complessivamente, questo progetto di ricerca unisce gli aspetti cruciali dell'affidabilità dei dispositivi GaN con la progettazione avanzata di circuiti smart power, offrendo un contributo significativo alla crescita e all'innovazione nell'ambito dell'elettronica di potenza. Descrizione sintetica in inglese The main objective of this research project is to analyze the reliability of Gallium Nitride (GaN) based power transistors under specific operating conditions and, based on such outcomes, design and develop an integrated smart power circuit exploiting the potential of these devices in terms of performance and reliability. Expected results are: • A comprehensive understanding of GaN device reliability under specific operating conditions. • Design of an efficient and reliable smart power integrated circuit based on GaN technology. • Contributions to research in the fields of power electronics and GaN technology. Overall, this research project combines critical aspects of GaN device reliability with advanced smart power circuit design, providing a significant contribution to the growth and innovation in the field of power electronics. Data del bando 07/12/2023 Paesi in cui può essere condotta la ricerca Italy Paesi di residenza dei candidati All Nazionalità dei candidati All Sito web del bando https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca Dettagli dell'assegno di ricerca Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://bandi.unibo.it/ricerca/assegni-ricerca Finanziatore Nome dell'Ente finanziatore ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO" Tipologia dell'Ente Public research Paese dell'Ente Italy Città Bologna Sito web http://www.unibo.it Contatto presso l'Ente E-mail a.tallarico@unibo.it EU Research Framework Programme L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? HE Dettagli per la candidatura Data di scadenza del bando 29/02/2024 Come candidarsi Other
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